2N6715

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-237-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

500 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6715

Guadagno di corrente CC hFE Max:

55 at 10m at 1 V

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

Tags

2N6715, 2N671, 2N67, 2N6