SI3590DV-T1-E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A, 1.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

3 nC, 3.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.83 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI3

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

10 S, 5 S

Tempo di caduta:

7 ns, 20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns, 20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

SI3590DV-T1

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3