MMDT5451-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V, 160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

160 V, 180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMDT5451

Guadagno di corrente CC hFE Max:

240

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 0.2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

MMDT545, MMDT54, MMDT5, MMDT, MMD