PBSS3540M,315

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Altezza:

0.47 mm

Lunghezza:

1.02 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.62 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 10 mA, 2 V, 150 at 100 mA, 2 V, 40 at 500 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

430 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBSS3540M T/R

Unità di peso:

0.000028 oz

Tags

PBSS3540M, PBSS354, PBSS35, PBSS3, PBSS, PBS