IRFH8311TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.35 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

83 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21 ns

Parte # Alias:

SP001564136

Tags

IRFH8311, IRFH831, IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF