2SA1941-O(Q)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 140 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 140 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

83

Marca:

Toshiba

Corrente continua del collettore:

10 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.165788 oz

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