IPB65R660CFDAATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

594 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

CoolMOS CFDA

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

IPB65R660CFDA IPB65R66CFDAXT SP000875794

Unità di peso:

0.068654 oz

Tags

IPB65R660CFDA, IPB65R66, IPB65R6, IPB65, IPB6, IPB