IXFB30N120P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PLUS-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

6.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

310 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 kW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.59 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

IXFB30N120P

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza Polar HiPerFET

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

56 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

95 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

57 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXFB30, IXFB3, IXFB, IXF