IRFR9N20DTRLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

86 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

4.3 S

Tempo di caduta:

9.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Parte # Alias:

SP001578328

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IRFR9N20DT, IRFR9N, IRFR9, IRFR, IRF