ZXT4M322TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-322-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 70 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 175 mV

Corrente massima del collettore CC:

2.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 2.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 175 at 1 A, 5 V, 40 at 1.5 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXT