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NVD5807NT4G

NVD5807NT4G
Mfr. #:
NVD5807NT4G
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET POWER MOSFET
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NVD5807NT4G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-252-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
40 V
Id - Corrente di scarico continua:
23 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
20 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
12.6 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
33 W
Configurazione:
Separare
Qualificazione:
AEC-Q101
Confezione:
Bobina
Serie:
NTD5807N
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
ON Semiconductor
Transconduttanza diretta - Min:
8.1 S
Tempo di caduta:
2 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
20.4 ns
Quantità confezione di fabbrica:
2500
sottocategoria:
MOSFET
Unità di peso:
0.139332 oz
Tags
NVD580, NVD58, NVD5, NVD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 23A, 31mΩ Power MOSFET 40V 23A 31 mOhm Single N-Channel DPAK
***ical
Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***ark
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.02Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NVD5807NT4G
DISTI # NVD5807NT4GOSCT-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 23A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		798In Stock
  • 500:$0.3530
  • 100:$0.4766
  • 10:$0.6180
  • 1:$0.7100
NVD5807NT4G
DISTI # NVD5807NT4GOSDKR-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 23A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    NVD5807NT4G
    DISTI # NVD5807NT4GOSTR-ND    		ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 23A DPAK
    RoHS: Compliant
    Container: Tape & Reel (TR)    		Temporarily Out of Stock
      NVD5807NT4G
      DISTI # NVD5807NT4G      		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: NVD5807NT4G)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 2500
      Container: Tape and Reel      		Asia - 0
      • 2500:$0.1941
      • 5000:$0.1867
      • 7500:$0.1797
      • 12500:$0.1733
      • 25000:$0.1673
      • 62500:$0.1618
      • 125000:$0.1591
      NVD5807NT4G-VF01
      DISTI # NVD5807NT4G-VF01      		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: NVD5807NT4G-VF01)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 2500
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 2500:$0.1919
      • 5000:$0.1909
      • 10000:$0.1889
      • 15000:$0.1859
      • 25000:$0.1819
      NVD5807NT4G
      DISTI # 76T6769      		ON SemiconductorNFET DPAK 40V 23A 31MOHM / REEL0
        NVD5807NT4G
        DISTI # 14AC4786        		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:23A,Drain Source Voltage Vds:40V,On Resistance Rds(on):0.02ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.5V,Power , RoHS Compliant: Yes0
          NVD5807NT4G-VF01
          DISTI # 65AC5143          		ON SemiconductorNVD5807NT4G-VF010
          • 1:$0.5780
          • 250:$0.4360
          • 500:$0.3890
          • 1000:$0.3500
          • 5000:$0.3180
          NVD5807NT4G
          DISTI # 863-NVD5807NT4G          		ON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET
          RoHS: Compliant          		648
          • 1:$0.5900
          • 10:$0.4830
          • 100:$0.3120
          • 1000:$0.2500
          • 2500:$0.2110
          NVD5807NT4G-VF01
          DISTI # 863-NVD5807NT4G-VF01          		ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM0
          • 1:$0.6500
          • 10:$0.5330
          • 100:$0.3250
          • 1000:$0.2510
          • 2500:$0.2150
          • 10000:$0.2000
          • 25000:$0.1890
          NVD5807NT4G
          DISTI # 2728045          		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252
          RoHS: Compliant          		286
          • 5:£0.4140
          • 25:£0.3880
          • 100:£0.2360
          • 250:£0.2100
          • 500:£0.1850
          NVD5807NT4G
          DISTI # 2728045          		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252
          RoHS: Compliant          		221
          • 5:$0.8640
          • 25:$0.7410
          • 100:$0.5060
          Immagine Parte # Descrizione
          TQP3M9028

          Mfr.#: TQP3M9028

          OMO.#: OMO-TQP3M9028

          		 RF Amplifier 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt
          SQ2362ES-T1_GE3

          Mfr.#: SQ2362ES-T1_GE3

          OMO.#: OMO-SQ2362ES-T1-GE3

          		 MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
          SI2347DS-T1-GE3

          Mfr.#: SI2347DS-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI2347DS-T1-GE3

          		 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
          ACPL-M21L-000E

          Mfr.#: ACPL-M21L-000E

          OMO.#: OMO-ACPL-M21L-000E

          		 High Speed Optocouplers Optocoupler 5MBd
          PIC12F1572-I/MS

          Mfr.#: PIC12F1572-I/MS

          OMO.#: OMO-PIC12F1572-I-MS

          		 8-bit Microcontrollers - MCU 16-bit PWM 256 RAM 3.5KB Comparator
          LIS3DSHTR

          Mfr.#: LIS3DSHTR

          OMO.#: OMO-LIS3DSHTR

          		 Accelerometers MEMS 3-Axis Nano 1.71 to 3.6V 1.6kHz
          LQG15WH11NH02D

          Mfr.#: LQG15WH11NH02D

          OMO.#: OMO-LQG15WH11NH02D

          		 Fixed Inductors
          MI0805J102R-10

          Mfr.#: MI0805J102R-10

          OMO.#: OMO-MI0805J102R-10

          		 Ferrite Beads 1000ohms 100MHz 1A Monolithic 0805 SMD
          SI2347DS-T1-GE3

          Mfr.#: SI2347DS-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI2347DS-T1-GE3-VISHAY

          		 IGBT Transistors MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III
          MI0805J102R-10

          Mfr.#: MI0805J102R-10

          OMO.#: OMO-MI0805J102R-10-LAIRD-TECHNOLOGIES

          		 EMI Filter Beads, Chips & Arrays 1000ohms 100MHz 1A Monolithic 0805 SMD
          Disponibilità
          Azione:
          Available
          Su ordine:
          1986
          Inserisci la quantità:
          Il prezzo attuale di NVD5807NT4G è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
          Prezzo di riferimento (USD)
          Quantità
          Prezzo unitario
          est. Prezzo
          1
          0,58 USD
          0,58 USD
          10
          0,48 USD
          4,83 USD
          100
          0,31 USD
          31,20 USD
          1000
          0,25 USD
          250,00 USD
          A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
          Iniziare con
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