SQ1912EH-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

800 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms, 200 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

1.15 nC, 1.15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

2.6 S, 2.6 S

Tempo di caduta:

17 ns, 17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns, 21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns, 19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns, 3 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SQ1912E, SQ191, SQ19, SQ1