IXFT80N10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HyperFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

16.05 mm

Serie:

IXFT80N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

14 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

63 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

41 ns

Unità di peso:

0.158733 oz

Tags

IXFT80N1, IXFT80, IXFT8, IXFT, IXF