IXFT16N120P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

950 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

6.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

660 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

16.05 mm

Serie:

IXFT16N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza Polar HiPerFET

Larghezza:

14 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

11 S

Tempo di caduta:

35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

66 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Unità di peso:

0.158733 oz

Tags

IXFT16N1, IXFT16, IXFT1, IXFT, IXF