NTB75N03RT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

74.4 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

27 S

Tempo di caduta:

5.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.9 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTB75N03R, NTB75N03, NTB75, NTB7, NTB