NTB75N06LG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

214 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

55 S

Tempo di caduta:

170 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

265 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

113 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTB75N06L, NTB75N06, NTB75, NTB7, NTB