SQS482ENW-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-1212-8W-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

26 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Tags

SQS482, SQS48, SQS4, SQS