SI1308EDL-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

132 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

2.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Serie:

SI1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Parte # Alias:

SI1300BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

SI1308E, SI1308, SI130, SI13, SI1