SIA519EDJ-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SC70-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms, 90 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV, 500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

3.7 nC, 5.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

7.8 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2.05 mm

Serie:

SIA

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

2.05 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

12 S, 7 S

Tempo di caduta:

16 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 20 ns

Parte # Alias:

SIA519EDJ-GE3

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

SIA519E, SIA519, SIA51, SIA5, SIA