VN10LPSTOA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

270 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

VN10LPS, VN10LP, VN10L, VN10, VN1