CMLDM3757 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

540 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

750 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1.58 nC, 1.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

CMLDM3

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns, 48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 38 ns

Parte # Alias:

CMLDM3757 PBFREE TR

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

CMLDM3, CMLDM, CMLD, CML