SSM6L09FUTE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

400 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6L09

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

68 ns, 85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

72 ns, 85 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6L09, SSM6L0, SSM6L, SSM6, SSM