STS5P3LLH6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

48 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Bobina

Serie:

STS5P3LLH6

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

3.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns

Tags

STS5P, STS5, STS