SIUD401ED-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-0806-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 0.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.573 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 0.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET; PowerPAK

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

0.65 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Tags

SIUD40, SIUD, SIU