NTJD4105CT2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

27 V, 10.5 V

Id - Corrente di scarico continua:

630 mA, 775 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

290 mOhms, 220 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

920 mV, 830 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V, 8 V

Qg - Carica cancello:

1.3 nC, 2.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTJD4105C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2 S

Tempo di caduta:

506 ns, 36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

227 ns, 23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

786 ns, 50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

83 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ