SQ1539EH-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

850 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

210 mOhms, 788 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.4 nC, 1.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

1.2 S, 0.6 S

Tempo di caduta:

32 ns, 17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns, 39 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns, 10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns, 4 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SQ15, SQ1