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2SD1816S-E

2SD1816S-E
Mfr. #:
2SD1816S-E
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
2SD1816S-E Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
RoHS:
Y
Polarità del transistor:
NPN
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
100 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
6 V
Corrente massima del collettore CC:
4 A
Guadagno larghezza di banda prodotto fT:
130 MHz
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
2SD1816
Altezza:
2.3 mm
Confezione:
Massa
Larghezza:
6.5 mm
Marca:
ON Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:
20 W
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
transistor
Tags
2SD1816S, 2SD1816, 2SD181, 2SD18, 2SD1, 2SD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***ure Electronics
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***nell
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251;
***-Wing Technology
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 500mA 5V 3A 1W 130MHz
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single, TP/TP-FA
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN
***et
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(3+Tab) TP T/R
***-Wing Technology
Bulk Through Hole NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 180MHz
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
*** Electronics
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
2SD1816S-E
DISTI # V99:2348_07310488		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TP Bag
RoHS: Compliant		85
  • 2500:$0.3178
  • 1000:$0.3580
  • 100:$0.4350
  • 10:$0.6743
  • 1:$0.7819
2SD1816S-E
DISTI # V36:1790_07310488		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TP Bag
RoHS: Compliant		0
    2SD1816S-E
    DISTI # 2SD1816S-E-ND    		ON SemiconductorTRANS NPN 100V 4A TP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Bulk    		900In Stock
    • 1000:$0.3943
    • 500:$0.4929
    • 100:$0.6235
    • 10:$0.8130
    • 1:$0.9200
    2SD1816S-E
    DISTI # 25863597    		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TP Bag
    RoHS: Compliant    		85
    • 2500:$0.3416
    • 1000:$0.3849
    • 100:$0.4676
    • 20:$0.6590
    2SD1816S-E
    DISTI # 2SD1816S-E    		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TP Bag - Bulk (Alt: 2SD1816S-E)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1500
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 15000:$0.2889
    • 7500:$0.2969
    • 4500:$0.2999
    • 3000:$0.3039
    • 1500:$0.3059
    2SD1816S-E
    DISTI # 65T2530    		ON SemiconductorBIP NPN 4A 100V / BLKBG0
    • 2500:$0.3380
    • 1000:$0.3470
    • 500:$0.4720
    • 250:$0.4860
    • 100:$0.5000
    • 25:$0.7370
    • 10:$0.7580
    • 1:$0.9690
    2SD1816S-E
    DISTI # 863-2SD1816S-E    		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
    RoHS: Compliant    		223
    • 1:$0.8800
    • 10:$0.7280
    • 100:$0.4700
    • 1000:$0.3760
    • 2500:$0.3170
    • 10000:$0.3060
    • 25000:$0.2940
    Immagine Parte # Descrizione
    MAX5417PETA+

    Mfr.#: MAX5417PETA+

    OMO.#: OMO-MAX5417PETA-

    		 Digital Potentiometer ICs 256-Tap, Nonvolatile, I C-Interface, Digital Potentiometers
    SIHFL110TR-GE3

    Mfr.#: SIHFL110TR-GE3

    OMO.#: OMO-SIHFL110TR-GE3

    		 MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223
    ACPL-W347-060E

    Mfr.#: ACPL-W347-060E

    OMO.#: OMO-ACPL-W347-060E

    		 Logic Output Optocouplers Gate Drv Optocoupler VDE LF
    DFLS1100-7

    Mfr.#: DFLS1100-7

    OMO.#: OMO-DFLS1100-7

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 1.0A 100V
    293D475X9016A2TE3

    Mfr.#: 293D475X9016A2TE3

    OMO.#: OMO-293D475X9016A2TE3

    		 Tantalum Capacitors - Solid SMD 4.7uF 16volts 10% A case Molded
    SIHFL110TR-GE3

    Mfr.#: SIHFL110TR-GE3

    OMO.#: OMO-SIHFL110TR-GE3-1190

    		 HANNEL 100V
    ACPL-W347-060E

    Mfr.#: ACPL-W347-060E

    OMO.#: OMO-ACPL-W347-060E-BROADCOM

    		 Logic Output Optocouplers Gate Drv Optocoupler VDE LF
    DFLS1100-7

    Mfr.#: DFLS1100-7

    OMO.#: OMO-DFLS1100-7-DIODES

    		 DIODE SCHOTTKY 100V POWERDI123
    293D475X9016A2TE3

    Mfr.#: 293D475X9016A2TE3

    OMO.#: OMO-293D475X9016A2TE3-VISHAY

    		 Tantalum Capacitors - Solid SMD 4.7uF 16volts 10% A case Molded
    MAX5417PETA+

    Mfr.#: MAX5417PETA+

    OMO.#: OMO-MAX5417PETA--MAXIM-INTEGRATED

    		 IC POT DGTL 256-TAP I2C 8-TDFN
    Disponibilità
    Azione:
    223
    Su ordine:
    2206
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di 2SD1816S-E è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,88 USD
    0,88 USD
    10
    0,73 USD
    7,28 USD
    100
    0,47 USD
    47,00 USD
    1000
    0,38 USD
    376,00 USD
    2500
    0,32 USD
    792,50 USD
    10000
    0,31 USD
    3 060,00 USD
    25000
    0,29 USD
    7 350,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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