SIHFL110TR-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

540 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

1.8 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

1.1 S

Tempo di caduta:

9.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.9 ns

Tags

SIHFL, SIHF, SIH