QPD1013SR

QPD1013SR
Mfr. #:
QPD1013SR
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
QPD1013SR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
QPD1013SR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
21.8 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Id - Corrente di scarico continua:
1.7 A
Potenza di uscita:
178 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
65 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
67 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
DFN-6
Confezione:
Bobina
Applicazione:
Radar militari, jammer, strumentazione di prova, amplificatori a banda larga o a banda stretta, mobili terrestri e milit
Configurazione:
Singolo Triplo Scarico
Frequenza operativa:
1.2 GHz to 2.7 GHz
Marca:
Qorvo
Kit di sviluppo:
QPD1013EVB01
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Tags
QPD101, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
GaN RF Transistor 2.7GHz 65V 150W 6-Pin QFN T/R
***el Electronic
RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
QPD1013 GaN RF Transistor
Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high power and wide bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.
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Immagine Parte # Descrizione
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPD1000

Mfr.#: QPD1000

OMO.#: OMO-QPD1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
QPD1003

Mfr.#: QPD1003

OMO.#: OMO-QPD1003

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
QPD1014SR

Mfr.#: QPD1014SR

OMO.#: OMO-QPD1014SR

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 15W 50V GaN
QPD1013SR

Mfr.#: QPD1013SR

OMO.#: OMO-QPD1013SR

RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD1020SR

Mfr.#: QPD1020SR

OMO.#: OMO-QPD1020SR

RF MOSFET Transistors 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
QPD1008

Mfr.#: QPD1008

OMO.#: OMO-QPD1008-1152

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD1015L

Mfr.#: QPD1015L

OMO.#: OMO-QPD1015L-1152

RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
QPD1009

Mfr.#: QPD1009

OMO.#: OMO-QPD1009-318

RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1993
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
176,00 USD
176,00 USD
25
152,22 USD
3 805,50 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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