QPD1014SR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

18.4 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

145 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Potenza di uscita:

12.5 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

55 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Pd - Dissipazione di potenza:

15.8 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

30 MHz to 1200 MHz

Serie:

QPD1014

Marca:

Qorvo

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

QPD1014EVB01

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

QPD1014

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD