Jan2N1893

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-5-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

500 mV

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 150mA, 10 VDC

Confezione:

Massa

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 150 mA, 10 VDC

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N189, Jan2N18, Jan2N1, Jan2N, Jan2, JAN