IRF8910TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.55 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

24 S

Tempo di caduta:

4.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 ns

Parte # Alias:

SP001555820

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

IRF8910TRP, IRF8910T, IRF8910, IRF891, IRF89, IRF8, IRF