FDG6321C

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA, 410 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

450 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDG6321C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

1.45 S, 0.9 S

Tempo di caduta:

8.5 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.5 ns, 8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns, 55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns, 7 ns

Parte # Alias:

FDG6321C_NL

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

FDG6321C, FDG6321, FDG632, FDG63, FDG6, FDG