SIHFB11N50A-E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

520 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

52 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

15.49 mm

Lunghezza:

10.41 mm

Serie:

SIHF

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tags

SIHFB1, SIHFB, SIHF, SIH