DSS5160FDB-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 180 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

65 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

170 at - 100 mA, - 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

405 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000238 oz

Tags

DSS516, DSS51, DSS5, DSS