ZXMC3AMCTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN3020-B-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.7 A, 2.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.9 nC, 6.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ZXMC3

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S, 2.48 S

Tempo di caduta:

2.9 ns, 7.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.3 ns, 2.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.6 ns, 11.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.7 ns, 1.5 ns

Tags

ZXMC3AM, ZXMC3A, ZXMC3, ZXMC, ZXM