ZDT649TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SM-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

35 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

240 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1.6 mm (Max)

Lunghezza:

6.7 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm (Max)

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

2.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZDT64, ZDT6, ZDT