ZXTD1M832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-832-8

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 240 mV

Corrente massima del collettore CC:

4.4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 2.5 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTD, ZXT