PMD12K100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

20000

Confezione:

Vassoio

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

8 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

1000

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

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PMD12K, PMD12, PMD1, PMD