SIZF906DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-6x5-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 mOhms, 900 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 16 V, 20 V

Qg - Carica cancello:

49 nC, 200 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W, 83 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

130 S, 130 S

Tempo di caduta:

40 ns, 30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns, 60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns, 45 ns

Tags

SIZF90, SIZF9, SIZF, SiZ