IRG4IBC20KDPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

11.5 A

Pd - Dissipazione di potenza:

34 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.1 mm

Lunghezza:

10.6 mm

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001541892

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

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