HP8KA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore

Semiconduttore Rohm

categoria di prodotto

FET - Array

Serie

HP8KA1

Confezione

Imballaggio alternativo Digi-ReelR

Unità di peso

0.002490 oz

Stile di montaggio

SMD/SMT

Pacchetto-Custodia

8-PowerTDFN

Tecnologia

si

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero di canali

2 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore

8-HSOP

Configurazione

2 N-Channel

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Potenza-Max

3W

Tipo a transistor

2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss

30V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds

2550pF @ 15V

Funzione FET

Porta livello logico

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C

14A

Rds-On-Max-Id-Vgs

5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs-th-Max-Id

2.5V @ 10mA

Gate-Carica-Qg-Vgs

24nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione

3 W

Massima temperatura di esercizio

+ 150 C

Temperatura di esercizio minima

- 55 C

Tempo di caduta

40 ns 40 ns

Ora di alzarsi

30 ns 30 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage

+/- 20 V +/- 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente

14 A 14 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

30 V 30 V

Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione

1 V 1 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza

7 mOhms 7 mOhms

Polarità del transistor

Canale N

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico

85 ns 85 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico

25 ns 25 ns

Qg-Gate-Carica

24 nC 24 nC

Transconduttanza diretta-Min

14 S 14 S

Modalità canale

Aumento

Tags

HP8KA, HP8K, HP8