HP8KA1TB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

24 nC, 24 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

5.8 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

2 N-channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

14 S, 14 S

Tempo di caduta:

40 ns, 40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns, 30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

85 ns, 85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns, 25 ns

Parte # Alias:

HP8KA1

Unità di peso:

0.002490 oz

Tags

HP8KA, HP8K, HP8