DMN60H080DS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

67 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

76 ms

Tempo di caduta:

158 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMN60H, DMN60, DMN6, DMN