UMY1NTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-353-5

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V, 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V, 0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz, 180 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

UMY1N

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

150 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

UMY1N

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

UMY1NTR, UMY1NT, UMY1N, UMY1, UMY