R6009KNJTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

94 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

Super Junction-MOS KN

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.3 S

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Parte # Alias:

R6009KNJ

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

R6009, R600, R60