DMG4511SK4-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

35 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.3 A, 5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

18.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.54 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG4511

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

4.5 S

Tempo di caduta:

35.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns

Tags

DMG45, DMG4, DMG