SQD50N10-8m9L_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

46 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

136 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

67 S

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

95 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

SQD50N10-8, SQD50N1, SQD50N, SQD50, SQD5, SQD