ZXTP2006E6TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

25 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 110 mV

Corrente massima del collettore CC:

3.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Serie:

ZXTP200

Guadagno di corrente CC hFE Max:

900

Altezza:

1.3 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 3.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000229 oz

Tags

ZXTP200, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT