IRGPS60B120KDP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-274-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.33 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

105 A

Pd - Dissipazione di potenza:

595 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

120 A

Altezza:

20.3 mm

Lunghezza:

15.6 mm

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001540752

Unità di peso:

0.223990 oz

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